與矽晶圓相比，SiC晶圓的生產難點在哪裏？
文章導讀：當前，以矽基為材料的晶圓已經開始從8英寸邁向了12英寸，當前環境下，與矽晶圓相比，SiC晶圓的生產難點會在哪裏？水蜜桃免费视频小夥伴給大家收集了一些資料，一起來看一下。
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據介紹：“與矽材料芯片相比，8英寸和6英寸SiC生產的主要差別在高溫工藝上，例如高溫離子注入，高溫氧化，高溫激活等，以及這些高溫工藝所需求的hard mask（硬掩模）工藝等。”而高溫工藝關乎著SiC的良率，這也是各大SiC廠商所著力研發的關鍵環節之一。
除了與矽晶圓在生產工藝上有所差異以外，在SiC從6英寸向8英寸發展的過程中也存在著一些差異。“在功率半導體製造的離子注入、薄膜沉積、介質刻蝕、金屬化等環節，8英寸碳化矽與6英寸SiC的差距不大。”某博士指出：“8英寸SiC的製造難點主要集中在襯底生長、襯底切割加工、氧化工藝。其中，襯底生長方麵，擴徑到8英寸，對襯底生長的難度會成倍增加；襯底切割加工方麵，越大尺寸的襯底切割應力、翹曲的問題越顯著；氧化工藝一直是碳化矽工藝中的核心難點，8英寸、6英寸對氣流和溫場的控製有不同需求，工藝需各自獨立開發。”
顯然，SiC向更大晶圓麵積發展的路並不好走，在這一點上，從SiC從4英寸走向6英寸的過程中便可略窺一二——據 Yole 預測數據顯示，2020 年4英寸SiC晶圓接近 10 萬片，而 6英寸晶圓市場需求已超過8萬片，預計將在2030年逐步超越4英寸晶圓。
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