等離子體化學氣相沉積技術（PCVD）優勢介紹！
文章導讀：等離子體化學氣相沉積技術（PCVD）是等離子體的一種應用方向，在：半導體、計算機、光學儀器、電子器件、新能源電池、傳感器等提供多樣的表麵處理方案，那麽等離子體化學氣相沉積技術（PCVD）有哪些獨特之處呢？
等離子體化學氣相沉積技術（PCVD）是等離子體的一種應用方向，在：半導體、計算機、光學儀器、電子器件、新能源電池、傳感器等提供多樣的表麵處理方案，那麽等離子體化學氣相沉積技術（PCVD）有哪些獨特之處呢？
一、什麽是氣相沉積工藝？
工藝主要用於物體表麵塗層處理，在絕緣材料、金屬材料、金屬合金材料等表麵進行處理；也就是通入兩種及兩種以上的氣態原材料進入反應室，兩者發生化學反應形成一種新的材料，沉積在晶體的表麵；如：沉積氮化矽膜(Si3N4)，就是由矽烷和氮反應形成。
二、等離子體化學氣相沉積技術（PCVD）優勢在哪？
1、PCVD可以在低溫下成膜，如沉積 TiC、Ti（CN）、TiN 和 SizN的反應溫度可分別在700K、550K、520K 和530K下進行；常規的氣相沉積需要在1200K、1000K、900K 和1200K下進行。
2、PCVD工藝可以減少薄膜和襯底熱膨脹係數不匹配而造成的內應力。
可以大大減小由於薄膜和襯底熱膨脹係數不匹配所造成的內應力、
3、PCVD工藝可以解決氣體工藝難以處理的物質，如：TCVD下反應速率極慢的汙漬，可以采用PCVD工藝進行處理。
三、等離子體化學氣相沉積技術（PCVD）有哪些不足呢？
PCVD往往傾向於在薄膜中造成壓應力，這種壓力在塗層較厚的時候，有一定肯定造成開裂或者剝落；某些脆弱襯底在等離子體轟擊下會被損傷；同時等離子體會在表麵發生改性作用，如果產品無需活性變化，這就不利，會降低抗腐蝕性和抗輻射能力。
目前等離子體化學氣相沉積技術（PCVD）已經得到了廣泛的應用，如果你有需求，歡迎聯係水蜜桃免费视频進行試樣哦！
工藝主要用於物體表麵塗層處理，在絕緣材料、金屬材料、金屬合金材料等表麵進行處理；也就是通入兩種及兩種以上的氣態原材料進入反應室，兩者發生化學反應形成一種新的材料，沉積在晶體的表麵；如：沉積氮化矽膜(Si3N4)，就是由矽烷和氮反應形成。
二、等離子體化學氣相沉積技術（PCVD）優勢在哪？
1、PCVD可以在低溫下成膜，如沉積 TiC、Ti（CN）、TiN 和 SizN的反應溫度可分別在700K、550K、520K 和530K下進行；常規的氣相沉積需要在1200K、1000K、900K 和1200K下進行。
2、PCVD工藝可以減少薄膜和襯底熱膨脹係數不匹配而造成的內應力。
可以大大減小由於薄膜和襯底熱膨脹係數不匹配所造成的內應力、
3、PCVD工藝可以解決氣體工藝難以處理的物質，如：TCVD下反應速率極慢的汙漬，可以采用PCVD工藝進行處理。
PCVD往往傾向於在薄膜中造成壓應力，這種壓力在塗層較厚的時候，有一定肯定造成開裂或者剝落；某些脆弱襯底在等離子體轟擊下會被損傷；同時等離子體會在表麵發生改性作用，如果產品無需活性變化，這就不利，會降低抗腐蝕性和抗輻射能力。
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