等離子刻蝕中影響氮化矽側壁蝕刻傾斜度的參數有哪些？
文章導讀：在晶圓製造領域，使用等離子刻蝕不僅可以“吃掉”上層的光刻膠，也可以“吃掉”氮化矽薄膜， 形成一定的側壁蝕刻傾斜度。
蜜桃视频APP免费下载係統能夠完成表麵清洗、活化、刻蝕以及塗鍍等諸多功能，依據所需處理的材料與處理的目的，蜜桃视频APP免费下载係統能夠完成不同的處理效果。蜜桃视频APP免费下载設備在半導體方向的使用有等離子刻蝕、顯影、去膠、封裝等。
等離子刻蝕工藝在半導體集成電路中，既能夠刻蝕上表層的光刻膠，也能夠刻蝕基層的氮化矽層，不僅如此還需要防止其對矽襯底造成刻蝕損害，從而造成器件暗電流增大，影響產品良率，為達到這諸多條件的工藝要求。等離子刻蝕工藝能夠通過對真空蜜桃视频APP免费下载設備的部分參數調整，形成一些氮化矽層的特殊形貌，即側壁蝕刻傾斜度。
側壁蝕刻傾斜度的優勢在於，當具有一定程度的傾斜度時，可以有效降低金屬鍍膜層在階梯覆蓋時出現斷裂的幾率，以及改善集成電路中工藝金屬線路內部斷裂的問題。如下所示是氮化矽側壁垂直和具有一定程度的傾斜度的示意圖：
通過多次的變量測試和實驗，水蜜桃免费视频可以通過真空度、等離子發生器的功率、CF4流量、O2流量、氣體流量比、腔內壓強以及處理時間等不同變量的研究，能夠找到一個適合的氮化矽層側壁刻蝕傾角。
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